K4F8E304HB-MGCJ Samsung品牌 存储器

K4F8E304HB-MGCJ Samsung品牌 存储器

型号:K4F8E304HB-MGCJ
品牌:Samsung
封装:200-TFBGA
描述:LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20

SKU: K4F8E304HB-MGCJ 分类: 品牌:

K4F8E304HB-MGCJ Samsung 存储器
型号:K4F8E304HB-MGCJ
品牌:Samsung
描述:LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
系列:-
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:-
存储容量:8Gb
存储器组织:256M x 32
存储器接口:并联
时钟频率:1866 MHz
写周期时间:-
供电电压:1.1V
工作温度:-25°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
访问时间:-
封装:200-TFBGA
分类:存储器

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